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プラズマ装置

枚葉式プラズマ処理装置WLP-611S,WLP-600S

WLPは多様化したアプリケーションに対応する為、RFパワーを下部電極に印加(RIE方式)又は、上部電極に印加(DP方式)を実現しております。

6〜8インチのSi、Poly-Siなどのエッチングやポリミド系樹脂のエッチング及びフォトレジストのアッシングなど多種多様なプロセスに御利用頂けます。

価格は低廉でありながら、搭載されたシーケンサにより各種エッチング条件の管理を行う事が出来る高性能でコストパフォーマンスに優れた装置です。

製品の特徴
容易なプラズマモード切替

RIE(Reactive Ion Etching)⇔DP(Direct Plasma)がコントロールパネル上の操作のみで切り替え可能です。

バリエーション

WLP-611S : ワーク変質防止、生産性アップ、ロードロック
 チャンバー/真空ロボット仕様
WLP-600S : 小ロット生産向け 大気ロボット仕様
 御客様の要求に応じて対応致します。

高速追従性

小型の電力整合方式マッチャーを採用しており、プラズマ整合の高速化を実現しております。整合時間の短縮化により、プラズマ着火時における素子へのチャージアップダメージの低減を実現しております。

省フットプリント

クリーンルーム占有面積 
 WLP-600S 600(W)×1500(D)
 WLP-611S
スルーザウォール対応にてクリーンルームの省スペース化を実現しております。

多種多様なプロセスに対応

Si、PolyーSiなどのエッチングやポリミド系樹脂のエッチング、フォトレジストのアッシングなど様々な用途で御使用頂けます。 又、RIE(Reactive Ion Etching)⇔DP(Direct Plasma)がコントロールパネル上の操作のみで切り替え可能な為、各レシピ内のステップ処理を利用する事で様々なプロセスが実現可能です。

多種多様なカスタマイズ性

基本的なプラットフォームを利用して御客様の様々な要求に応じた対応を致します。

将来的な収束問題の解消

制御系にはシーケンサを使用しており、PCのモデルチェンジ等にありがちな収束問題も解消出来ます。

詳細仕様
仕 様
処理方式 平行平板プラズマ励起方式(DP/RIE切替可)
処理室 AL製(シングルチャンバー)
RF電源 600〜1000W
13.56MHz オートチューニング
処理ガス O2 1000SCCM
CF4 500SCCM
1系統増設可(オプション)
パージガス N2
スループット 3000枚/400時間(ポリイミド膜1μmエッチング時)
処理ステップ 3ステップ,10レシピ
ウエハーサイズ 6インチ,8インチ兼用
ウエハー搬送方式 垂直動作カセットエレベータ(6インチ,8インチ兼用)
水平・旋回動作 1フィンガー吸着方式クリーンロボット
本体寸法 W600×D1500×H1850
本体重量 650kg

■配管フロー図      ■処理システム図